RS-CUP 光剂用于半导体硫酸铜电镀工艺，专为高速厚镀铜柱、重布线层（RDL） 和铜凸点/铜凸点下金属层（UBM）的应用而设计。 它提供卓越的晶圆级、芯片级和微铜凸点级均匀性。能产生具有半亮或光亮外观的高可靠性电镀沉积层。
电镀工艺参数：
| 参数名称 | 最优值 | 范围 |
CuSO4.5H2O (g/L) | 160 | 150~170 |
98% H2SO4 (g/L) | 140 | 130~150 |
氯离子(ppm) | 50 | 40~60 |
阴极电流密度(ASD) | 10 | 5~15 |
镀浴温度 (0C) | 25 | 20~28 |
RS-CUP A (ml/L) | 10 | 7~15 |
RS-CUP B (ml/L) | 12 | 9~15 |
优良的平整度:
优良的凸点形貌:
